Czym się zajmujemy?
 

Działalność pracowni koncentruje się na podstawowych badaniach właściwości strukturalnych nowoczesnych materiałów stosowanych w energetyce jądrowej, mikro- i optoelektronice. Wykorzystujemy techniki jonowe oraz obrazowanie topografii materiałów za pomocą Skaningowego Mikroskopu Elektronowego.

Kluczowym elementem naszych badań jest ilościowa analiza dotycząca: 
•    grubości i stechiometrii warstw,
•    jakości krystalicznej materiału,
•    rozkładów głębokościowych pierwiastków w materiałach domieszkowanych,
•    procesów akumulacji i transformacji struktur defektowych zachodzących w kryształach pod wpływem implantacji, 
•    optymalizacji procesów wygrzewania (RTA, FLASH), 
•    wpływu wygrzewania na rozkład głębokościowy i ewolucję defektów poimplantacyjnych oraz na lokację sieciową i migrację głębokościową domieszki. 
 

W pracowni zajmujemy się kompleksową charakterystyką materiałów, łącząc badania strukturalne z analizami określającymi skład chemiczny i naprężenia wewnętrzne w badanych strukturach krystalicznych. W tym celu wykorzystujemy między innymi spektroskopię Ramana i dyfrakcję rentgenowską. Ważną częścią naszych badań jest również obrazowanie za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego.

Pracownia zajmuje się również tworzeniem, rozwojem i walidacją programów wykorzystywanych do analizy symulacyjnej realnych widm uzyskanych przy użyciu technik jonowych. To właśnie tutaj wdrażany i ulepszany jest program McChasy, oparty na metodzie Monte Carlo, w którym analizowane są widma uzyskane w kierunku kanałowania. Umożliwia to rozróżnienie między prostymi i złożonymi defektami występującymi w materiałach modyfikowanych powierzchniowo. Obecnie, dzięki rozwojowi mocy obliczeniowej komputerów, zespół pracowni pracuje nad nową metodą kompatybilną z symulacjami opartymi na dynamice molekularnej.