Nazwa Projektu: Stopy Ge-Sn wytwarzane metodą impulsu plazmowego

Akronim Projektu: GAMBLE

Finansowanie Projektu: Projekt współfinansowany ze środków polskiego Ministerstwa Edukacji i Nauki w ramach programu pn. Projekty Międzynarodowe Współfinansowane.

Informacje dodatkowe: projekt realizowany w ramach międzynarodowego programu: Program Niemieckiego Instytutu Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf na podstawie umowy zawartej z organizacją międzynarodową lub podmiotem zagranicznym Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf o nr 23003224-ST

Opis Projektu:

Głównym celem tego projektu jest próba opracowania skutecznej metody wytwarzania stopu Ge-Sn o zawartości cyny na poziomie około 10%, charakteryzującego się wysoką jakością krystalograficzną. Uzyskanie takiego stopu w warunkach równowagowych jest praktycznie niemożliwe ze względu na ograniczoną granicę rozpuszczalności cyny, wynoszącą około 1% w warunkach równowagi. W związku z tym konieczne staje się zastosowanie niekonwencjonalnych metod modyfikacji powierzchni, umożliwiających stworzenie warunków nierównowagowych sprzyjających powstawaniu stopu.

Proponowane rozwiązanie problemu opiera się na zastosowaniu sekwencyjnych impulsów wysokoenergetycznej plazmy. Generacja plazmy odbywać się będzie w koaksjalnym akceleratorze prętowym RPI (Rod Plasma Injector). W zależności od parametrów generacji, wyładowanie może prowadzić do erozji materiału elektrod i osadzenia warstwy na podłożu lub do generacji plazmy składającej się wyłącznie z gazu roboczego. Wówczas takie oddziaływanie sprzyja dyfuzji warstwy powierzchniowej próbki, która jest wystawiona na działanie tej plazmy. Przewiduje się przeprowadzenie eksperymentów, podczas których będzie wytwarzana warstwa powierzchniowa za pomocą impulsu plazmowego, a następnie jej przetopienie kolejnym impulsem. W wyniku tego procesu w materiale osadzonej warstwy zachodzi dyfuzja, która może się przyczynić do utworzenia oczekiwanego materiału stopowego.

Dofinansowanie: 139 440 zł

Całkowita wartość: 222 515 zł