Nazwa Projektu: Stopy Ge-Sn wytwarzane metodą implantacji jonów i impulsu elektronowego

Akronim Projektu: GAMING

Finansowanie Projektu: Projekt współfinansowany ze środków polskiego Ministerstwa Edukacji i Nauki w ramach programu pn. Projekty Międzynarodowe Współfinansowane.

Informacje dodatkowe: projekt realizowany w ramach międzynarodowego programu: Program Niemieckiego Instytutu Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf na podstawie umowy zawartej z organizacją międzynarodową lub podmiotem zagranicznym Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf o nr 23003220-ST

Opis Projektu:

Celem realizowanego Projektu jest próba opracowania skutecznej metody wytwarzania stopu Ge-Sn, o zawartości cyny około 10% i dobrej jakości krystalograficznej. Stop taki jest praktycznie niemożliwy do uzyskania w warunkach równowagowych, z uwagi na granicę rozpuszczalności cyny wynoszącą w warunkach stacjonarnych około 1%. Z tego powodu konieczne jest użycie metod niestacjonarnych.

Proponowane podejście do rozwiązania problemu polega na zastosowaniu implantacji sekwencyjnej, w której kolejne kroki implantacji cyny są zakończone każdorazowo przetopieniem wiązką elektronową. Powodem tego podejścia jest obserwacja, że implantacja potrzebna do wytworzenia stopu o zawartości cyny około 10% prowadzi nieuchronnie do uformowania się porowatej warstwy, niedogodnej dla dalszej obróbki, podczas gdy przetopienie impulsem elektronowym przywraca utraconą strukturę krystaliczną w szerokim zakresie energii impulsu.

Dofinansowanie: 139 440 zł

Całkowita wartość: 222 515 zł